BlockBeats 뉴스, 6월 22일 제프리스(Jefferies)는 글로벌 메모리 반도체 가격 상승폭이 시장 예상치를 크웃 웃돌 가능성이 있다고 밝혔다. 그 이유는 클라우드 컴퓨팅 대기업들이 선제적으로 생산능력을 확보하고, AI 서버 수요가 지속적으로 확대되는 반면, 주요 메모리 제조사들은 여전히 대규모 증설 의지가 부족하기 때문이다.
6월 21일 발표된 글로벌 기술 산업 보고서에서 제프리스는 메모리 업계 전문가의 의견을 인용해 2026년 3분기 메모리 가격이 전 분기 대비 40~50% 상승하고, 4분기에는 30~40% 추가 상승할 수 있다고 전망했다. 이 예측은 유럽과 미국 투자자들이 기존에 예상했던 15~20%를 크게 웃돌며, 일부 아시아 공급망의 최근 피드백보다도 높은 수준이다.
보고서에 따르면, 중국 업체를 제외할 경우 2026년 글로벌 메모리 비트 공급량(Bit Supply)은 약 7~8% 증가에 그칠 것으로 예상되며, 이는 주로 공정 전환에 따른 것이지 새로운 웨이퍼 생산능력 추가에 의한 것은 아니다. DRAM과 NAND를 합친 총 공급 부족분은 월 15만~20만 장의 웨이퍼에 달할 수 있다. 2027년에도 뚜렷한 웨이퍼 생산능력 증가가 없을 것으로 보여 공급 부족 현상은 지속될 전망이다.
AI 수요는 이번 메모리 사이클의 주요 동력이다. 보고서는 클라우드 서비스 제공업체들이 이미 메모리 제조사와 2년 장기 공급 계약을 체결하고 약 40%의 선급금을 지불했다고 지적했다. 이러한 장기 계약은 현재 업계 생산능력의 약 50%를 차지하고 있으며, 향후 70%까지 상승할 가능성이 있다. 반면, 소비자 가전 업체들은 유사한 계약을 체결하기 어려워 2026~2027년에 더 큰 비용 및 공급 압력에 직면할 수 있다.
HBM은 여전히 공급 부족 상태다. 제프리스는 전문가 추정을 인용해 업계 HBM 생산능력이 월 약 33만 장의 웨이퍼이며, 2027년에는 48만 장으로 증가할 수 있다고 밝혔다. 새로운 생산능력 추가는 향후 12개월 동안 HBM 가격 상승폭을 제한하겠지만, 상승폭은 여전히 약 70%에 달할 수 있다.
보고서는 또한 중국 메모리 제조사들이 단기간 내에 이번 강세장을 위협하지는 않을 것이라고 분석했다. 창신메모리(CXMT)는 DRAM 기술에서 여전히 글로벌 선두 업체보다 약 1.5~2세대 뒤쳐져 있으며, EUV 역량이 부족한 상황에서 단기간에 DDR6 또는 HBM3E로 업그레이드하기 어렵다. 중국 업체들의 2026~2027년 증설은 주로 저가 시장에 영향을 미칠 것이다. 다만 보고서는 중국의 NAND 기술이 2028년까지 더 강력한 글로벌 경쟁력을 갖출 가능성도 있다고 지적했다.
제프리스는 2028년이 사이클 리스크 포인트가 될 수 있다고 경고했다. 만약 그 시점에 글로벌 웨이퍼 생산능력이 15~20% 증가하고 동시에 AI 수요가 둔화된다면, 메모리 가격이 크게 하락할 수 있다. 그러나 2026~2027년에는, 특히 클라우드 업체들의 물량 선점과 소비자 가전 공급 압박이 지속되는 상황에서 메모리 업계는 여전히 강력한 가격 결정력을 유지할 가능성이 높다.
